Новая оперативная память - 512 ГБ сверхбыстрой DDR5

Новая оперативная память - 512 ГБ сверхбыстрой DDR5

Не бывает слишком много оперативной памяти. Благодаря технологии HKMG компании Samsung удалось разработать сверхбыстрые модули DDR5 объемом 512 ГБ.

RAM, которая может вместить всю игру? Компания Samsung разработала модули памяти DDR5 со значительной емкостью 512 ГБ, которые также являются быстрыми и энергоэффективными. Это было достигнуто благодаря технологии изготовления микросхем с использованием материала, известного как HKMG, который ранее успешно использовался этим производителем в памяти GDDR6. Они будут использоваться в дата-центрах и суперкомпьютерах.

Как заявляет Samsung в недавнем пресс- релизе, создание единого модуля DDR5 такой большой емкости возможно благодаря технологии разделения на слои TSV. HKMG позволяет компании объединять восемь слоев микросхем DRAM 16 ГБ (2 ГБ). Таким образом можно достичь высоких скоростей до 7200 Мбит/с. Это вдвое быстрее, чем в случае с DDR4. Энергопотребление можно снизить до 13%, что особенно важно в серверном секторе, где энергоэффективность часто имеет решающее значение.

Мы не знаем, когда появятся в продаже модули DDR5 512 ГБ - им еще предстоит пройти проверочные испытания и сертификацию. В конце года ожидается выход на потребительский рынок платформы Alder Lake-S, которая будет поддерживать память DDR5.

HKMG - технология, основанная на использовании в транзисторах материала с так называемой высокой диэлектрической проницаемостью, что снижает утечку тока. Это делает ИС более энергоэффективным, позволяет добиться большей миниатюризации и повышения производительности.

Ваше имя: *
Ваш e-mail: *
Код: Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив
Введите код: